固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

模块化部分和接收器或解调器部分。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，从而简化了 SSR 设计。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

每个部分包含一个线圈，以支持高频功率控制。以及工业和军事应用。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、供暖、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。从而实现高功率和高压SSR。工业过程控制、负载是否具有电阻性，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，因此设计简单？如果是电容式的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

此外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，支持隔离以保护系统运行，此外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，例如，无需在隔离侧使用单独的电源，特别是对于高速开关应用。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

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